詞彙表 -半導體

ㄅB

薄晶圓

類別：應用

比SEMI標準、日本工業標準 (JIS)和美國材料試驗協會 (ASTM)對每種晶圓直徑規定的厚度更薄的晶圓。常用於功率裝置。

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半導體製造製程/後端

類別：應用

也稱為封裝製程。將前一製程生產的IC晶圓與晶圓分離，再進行佈線 (引線黏合等)和樹脂密封處理，製成IC封裝的製程。

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半導體製造製程/前端

類別：應用

也稱為晶圓加工步驟。在晶圓表面形成半導體裝置的過程中，使用幾種熱處理方法，例如氧化、擴散和CVD。

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ㄆP

批量處理

類別：應用

將多個晶圓放置在石英舟等上並一起處理的方法。這適用於大批量生產少量物品。為了確保批次的均勻性，有必要使用可保持均勻氣體和溫度分佈的技術。

ㄉD

大口徑直立式爐管

類別：設備相關

為FPD領域的大型玻璃基板退火而開發的烘烤爐。玻璃基板尺寸為2.5代以上。採用半導體裝置直立式爐管的結構，將玻璃基板安裝在大石英玻璃管內，然後在高溫下加熱以實現任何退火處理。

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單晶圓加工

類別：應用

與批量處理數十個基板的大批處理相比，僅在一個基板上執行一個處理的處理方法。這適用於在短時間內小批量生產多種產品的生產線。此外，由於基板是一塊一塊處理，因此可以進行詳細的控制。在需要快速升溫和精細氣氛控制的製程中，即使在批量生產線上也需要單晶圓處理。

氮化矽

類別：製程

氮化矽薄膜，用作MEMS的保護膜。在LPCVD中，通常透過使二氯矽烷 (SiH₂Cl₂) 等矽烷基氣體與氨 (NH₃) 氣體在高溫和數十Pa的低壓下反應來形成薄膜。

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氮氣負載鎖定

類別：設備相關

_氮氣排出室安裝在基板傳輸區域。其用於在將基板移入和移出該腔室時降低大氣中的氧氣和水分的濃度，以抑制自然氧化膜的形成。

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燈退火

類別：設備相關

使用鹵素燈等光作為加熱源的熱處理系統。由於它只加熱工件而不加熱氣氛，因此可以進行快速升溫和降溫的處理。

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低應力氮化矽

類別：製程

由於氮化矽膜通常處於高應力下，因此會出現裂紋和翹曲。因此，使用氮化膜來降低應力。用於緩解MEMS (微機電系統)和其他設備中的薄膜應力。

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低溫濕法氧化

類別：製程

將用於GaAs等化合物半導體的晶圓插入在500℃或以下的相對低溫下加熱的石英管中，將蒸汽注入管中，然後氧化晶圓的方法。用於VCSEL的開孔製程。

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低溫氧化物

類別：製程

LPCVD的一種。
以SiH₄和O₂為原料，在減壓下低溫 (約 400℃) 形成氧化膜。用作層間絕緣膜等。

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多晶矽

類別：製程

使用甲矽烷 (SiH₄) 氣體在低壓和高溫 (約 650°C) 下沉積和形成的薄膜。常用於閘極電極。

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ㄊT

太陽能電池/太陽能組件/光伏發電

類別：應用

一種利用太陽光和光伏效應將光能轉換為電能的能量轉換元件。由主要包括矽的半導體製成。其他包括使用Cu、In、Ga、Se和S的CIGS化合物太陽能電池，以及CdTe太陽能電池。

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碳化矽晶圓

類別：工件

從SiC錠切割的晶圓。通常用於功率半導體，且比單獨的矽在更高的溫度和更高的速度下工作。其製造方法比矽的製造方法更加困難和昂貴。

脫氫 (FPD用)

類別：製程

在LTPS (低溫多晶矽)製程中，形成a-Si膜，進行雷射退火，並對該膜進行多晶矽化。因為a-Si層中所含的氫成分對膜的破壞，所以請在雷射退火前進行熱處理，以降低氫成分濃度。

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退火

類別：製程

製造半導體裝置所需的各種熱處理。

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ㄌL

藍寶石晶圓

類別：工件

藍寶石是一種具有高硬度、耐腐蝕、耐熱的透明材料。用於光學裝置，例如LED和半導體雷射。

ㄍG

高溫氧化物

類別：製程

以二氯矽烷 (SiH₂Cl₂)和一氧化二氮 (N₂O) 氣體為原料，在高溫 (約 900℃) 低壓下形成的用作柵氧化層的氧化膜。

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固化

類別：製程

固化是指透過某種作用(熱、化學添加劑、光等) 促進單體的聚合反應或聚合物的交聯反應。然後稱單體或聚合物固化。

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功率半導體
電源裝置

類別：應用

功率半導體是執行諸如絕緣、導電、放大、整流和頻率轉換等電氣任務的半導體。SiC和GaN近來被用作新一代材料以降低更高電壓下的功率損耗。

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ㄎK

烤箱

類別：設備相關

熱處理設備的總稱。在我們的設備中，是指熱風循環式加熱設備。

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快速冷卻

類別：設備相關

用鼓風機將空氣送入加熱器並強製冷卻爐子以快速冷卻爐子內部的系統。

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ㄏH

橫型爐管

類別：設備相關

具有水平腔室的爐子，例如石英玻璃管，可以批量處理用於半導體、太陽能電池等的多個矽晶圓，以在高溫下進行熱處理或在晶圓上沉積任何薄膜。

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化合物半導體

類別：應用

由GaAs、GaN、CdTe、SiC等元素週期表中III-V 族和 II-VI族多種元素組合而成的半導體材料。

活化

類別：製程

在離子注入過程中註入的離子是不活躍的，因為它們沒有與半導體中的原子晶體對齊。由於晶體缺陷，晶格也需要修復。活化是利用熱量來調整晶格並活化這些離子的過程。

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活化退火

類別：製程

在將雜質 (異種元素) 注入襯底後，為了形成半導體層，使用熱處理來恢復破碎的晶體結構並對其進行電活化。

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ㄐJ

接觸退火

類別：製程

當金屬與半導體接觸時，可能會形成肖特基障蔽二極體，導致電流僅沿一個方向流動。需要進行熱處理以使接觸表面合金化，以便電流在兩個方向上流動。
這種情況稱為歐姆接觸。

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聚酰亞胺

類別：應用

聚酰亞胺是含酰亞胺聚合物的總稱。具有耐熱性和耐化學性，用於惡劣環境下的工業應用。例如，用於半導體的保護膜和絕緣材料、防護服的纖維、耐熱膠帶等。

聚酰亞胺固化

類別：製程

一種將用作半導體保護膜或絕緣材料的聚酰亞胺膜在約200°C至400°C下加熱並固化的方法。

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ㄒX

矽晶圓

類別：工件

從高純度矽錠切割而成的晶圓。構成半導體的基礎。熱處理設備可用於在高溫下將雜質引入其中並形成絕緣膜以生產半導體元件 (IC和LSI)。

吸雜

類別：製程

基板中的一些雜質可能會對LSI效能產生不利影響。此方法利用基板的晶體特性等來收集這些雜質。

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ㄓZH

直立式爐管

類別：設備相關

具有垂直腔室的爐子，例如石英玻璃管，可以批量處理用於半導體等的多個矽晶圓，以在高溫下進行熱處理或在晶圓上沉積任何薄膜。

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ㄔCH

垂直腔面發射雷射

類別：應用

垂直腔 (或諧振腔)型面發射雷射。通常稱為VCSEL。與傳統的水平諧振器類型不同，電壓可以在晶圓狀態下施加到晶圓上，可對產品進行雷射檢查，雷射振盪導致的鏡面損失更少，並且具有低功耗的特點。此外，還可以實現二維陣列的多波束合成。

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ㄕSH

燒結/合金化

類別：製程

在濺射鋁等金屬膜後進行退火處理。這種處理通常在氫氣氛中進行，是為了使接觸表面與硅合金化並獲得歐姆接觸。

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扇出晶圓

類別：工件

在FOWLP (扇出晶圓級封裝)製造製程中處理的樹脂基板。FOWLP是在晶圓尺寸之外形成重新佈線層的封裝的通用術語。與傳統包裝相比，其可用於縮小/薄型包裝。

砷化鎵晶圓

類別：工件

使用由鎵 (Ga)和砷 (As) 組成的化合物作為材料的晶圓。與矽相比，其強度較低，價格較高，但由於其電子遷移率高，可用於生產低功耗的高速半導體裝置。也用於LED和雷射的基板。

ㄖR

熱解氧化

類別：製程

一種熱氧化方法，利用氫氣和氧氣燃燒時產生的水蒸氣在矽等半導體材料上形成氧化膜。

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熱氧化

類別：製程

一種在氧氣或水蒸氣等氧化性氣氛中，將矽片等半導體材料在高溫下曝光，形成氧化膜的方法。其方法包括幹氧化和熱解氧化。

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熔塊燒製(適用於FPD)

類別：製程

將玻璃顆粒、樹脂、溶劑等混煉成玻璃漿料的方法，用印刷法將這種玻璃漿料塗在基板上，然後燒製。用於電子元件的連接、密封和塗層。

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ㄗZ

雜質擴散

類別：製程

一種透過加熱矽來擴散磷、硼等雜質的方法，此過程通常稱為熱擴散。此方法也被稱為離子注入，因為雜質被直接離子化並注入到晶圓中。在這種情況下，離子注入後需要活化退火。這兩種方法通常用於形成PN接面。

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ㄙS

四乙氧基矽烷

類別：製程

在LPCVD中沉積SiO2時使用。是一種液體材料，所以需要特殊的蒸發器。
特點是流動性和出色的覆蓋率。

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ㄡOU

歐姆接觸

類別：應用

一種接觸介面，特性為無論電流方向或電壓大小如何，電阻值都不會改變，電壓、電流和電阻之間的關係遵循歐姆定律。例如，晶體管、二極管、IC等半導體裝置的電極是歐姆接觸。

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ㄦER

二矽化鉬加熱器

類別：設備相關

使用二矽化鉬作為加熱元件，非常適合重複高溫處理高達1400°C的應用。耐熱性能極佳，支持快速加熱。

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ㄧY

有機發光二極管

類別：應用

OLED是一種由兩個導體之間的一系列有機薄膜組成的裝置，其對電流反應而發光。因為自發發光，所以不需要背光。其也比LCD更薄，功耗更低。

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研發 (R&D)

類別：應用

探索積累和新技術發展的活動，以尋找未來幾年的新價值。

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氧氮化物

類別：製程

一種使用NO或 N₂O 形成SiON薄膜的方法。透過將氮引入柵氧化膜的介面，有助於提高介面水平。

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A-Z

FPD

類別：應用

FPD是平板顯示器 (Flat Panel Display) 的縮寫。薄顯示器，例如有機EL (OLED) 或液晶顯示器。

HGC加熱器

類別：設備相關

採用重型線圈和墊片的組合，具有出色的高溫耐久性的加熱器。非常適合重複高溫處理高達1250°C的應用，例如擴散爐。

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IGBT

類別：應用

絕緣柵雙極晶體管 (Insulated Gate Bipolar Transistor) 的縮寫。一種功率半導體。其輸入為MOSFET結構，輸出為雙極結構。其特點是具有較高的開關速度和較低的導通電阻。

LGO加熱器

類別：設備相關

使用我們獨特的真空成型製程，將陶瓷纖維隔熱材料整合到固體結構中的加熱元件使用輕型導線的加熱器。由於只儲存少量熱量，因此即使在低溫和溫度急劇上升或下降時也能進行高精度控制，並具有出色的溫度跟隨性。

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LPCVD

類別：製程

低壓化學氣相沉積 (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 的縮寫。一種在幾十Pa低壓下沉積形成多晶矽 (poly-Si)和氮化矽 (Si₃N₄) 薄膜的方法。

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MEMS

類別：應用

MEMS 是微機電系統 (Micro Electro-Mechanical Systems) 的縮寫。在矽和玻璃上製造微米級精細機械結構和電子電路的設備。近來也出現結合機械結構和電子電路的多晶圓型模組。

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P 摻雜多晶矽

類別：製程

在沉積多晶矽時注入磷化氫 (PH3) 氣體並摻雜磷而獲得的具有N型屬性的多晶矽薄膜。用於與電極佈線接觸。

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POA (氧化後退火)

類別：製程

在形成MOSFET的柵氧化膜時，為了在主氧化過程之後重新形成 MOS介面而進行的退火。

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