產品試作設施
產品試作設備
我們有專門用於從低溫到高溫，以及從間歇式到連續式產品試作的實驗室。我們運用多年經驗，生產金屬材料、半導體生產、FPD設備、電子元件製造等領域的熱處理生產設備，以回應各個領域客戶的加熱要求。請向我們提供您的要求的詳細資訊，例如處理方法、溫度條件等，我們將選擇適合處理用途的設備。
觀迎隨時連絡我們的銷售代表。
半導體製造系統區域
安裝半導體製造設備的實驗室為10級無塵室設計。
太陽能電池製造系統區
產品試作設備範例
| 領域 | 機型 | 製程 | 工件尺寸/爐內尺寸/皮帶寬度 (mm) | 溫度 |
|---|---|---|---|---|
| 半導體 | VF-1000HLP | 活化退火，高溫 H2退火，真空吹掃可用 | 最大φ200mm | 800至1800℃ |
| VF-5300H | 退火、氧化 (乾燥、熱解) | 最大φ200mm | 700至1350℃ | |
| VF-5100LP | LP-CVD (Poly-Si、Si3N4、HTO) | 最大φ200mm | 600至850℃ | |
| VF-3000 | 退火、氧化 (乾、濕 (鼓泡))、用於VCSEL的低溫濕法氧化 | 最大φ200mm | 200至1100℃ | |
| VF-1000 | 退火、氧化 (乾、濕 (汽化器))、用於VCSEL的低溫濕法氧化、可提供真空淨化 | 最大φ300mm | 200至1100℃ | |
| VF-1000B | VCSEL的低溫濕法氧化 (濕 (汽化器)) | 最大φ150mm | 200至600℃ | |
| VF-5700B | 低溫退火、PIQ | 最大φ300mm | 200至750℃ | |
| RLA-1208-V | 退火、氧化 (乾式) | 最大φ200mm | 600至1200℃ | |
| PV (光電) | 206A-M100 | 退火、POCl3 | 156x156mm | 400至1100℃ |
| FPD | CCBS-IR | 平板顯示器的各種熱處理 | 300(W)×400(L)至3000(W)×3200(L) | 室溫至 250℃ |
| 電子元件 | AF-INH21 | 電子和陶瓷元件、金屬元件和其他產品的脫脂、乾燥、 其他傳統方法無法提高加熱效率的產品的其他熱處理 |
爐內尺寸：600(W)×600(H)×600(D) | 室溫 +60至600℃ |
| AF-INH100 | 爐內尺寸：1000(W)×1000(H)×1000(D) | |||
| AF-μBF | 有效尺寸：200(W)×200(H)×400(D) | 400至900℃ | ||
| AF-810A | 電子和陶瓷元件、金屬元件等產品的脫脂、乾燥、燒成 其他傳統方法無法提高加熱效率的產品的其他熱處理 |
皮帶寬度：200 | 250至900℃ | |
| 多管道進排氣式 網帶爐 |
電子元件等產品的各種熱處理 | 皮帶寬度：350 | ~950℃ | |
| 小型網帶式 連續爐 810A-II |
電子元件等產品的各種熱處理 | 皮帶寬度：200 | ~1000℃ | |
| 陶瓷輸送帶式 連續爐 |
電子元件等產品的各種熱處理 | 可處理工件尺寸：高達200(W)×75(H) | ~1400℃ | |
| 高溫惰性氣體烤箱 INH-21CD |
電子和陶瓷元件、金屬元件和其他產品的脫脂、乾燥、各種其他熱處理 | 爐內尺寸：600(W)×600(H)×600(D) | 室溫 +60至600℃ | |
| 高溫惰性氣體烤箱 INH-51N2-DBS |
爐內尺寸：800(W)×800(H)×800(D) | 室溫 +60至600℃ | ||
| 高溫潔淨爐 CLH-21CD(V) |
半導體晶圓、玻璃基板的烘烤、固化、老化、電子元件等產品的各種熱處理 | 爐內尺寸： 700(W)×700(H)×500(D) * 開口尺寸為630公釐。 |
室溫＋70～500℃ |
結果
我們有一個專門供客戶使用的產品試作室。可以幫助客戶做出購買新設備的決定。我們的設備產品試作系統可讓您進行預先測試、效能評估和其他類型的產品試作。只需向我們提供有關您的工件、加工條件和其他詳細資訊的資訊來請求產品試作，我們將選擇與您的加工目標相匹配的設備並安排時間表。
* 請注意，產品試作室通常只允許考慮購買設備的客戶使用。不允許用於其他目的的設備產品試作。不允許用作出租設備。
2021年設備產品試作次數
半導體相關產品試作：71次 (日本廠商61次，國外廠商10次)
電子元件或 FPD 相關產品試作：117次 (日本廠商102次，國外廠商15次)
