解決方案案例 [case-028]透過將設備的雙爐體化和更新傳送機構來提高SiC功率半導體接觸退火設備的生產效能

  • 接觸退火
  • RLA-4200-V

增加爐體數量和更新設計傳送機制,實現提高SiC功率半導體接觸退火設備的生產效能
(和傳統設備相比提高2~2.4倍)

支援流程 接觸退火
型號介紹 RLA-4200-V接觸退火用燈管退火爐

問題

接觸退火設備是每次處理一片晶圓的單晶圓系統方式.其生產效能不如卡匣中收集的複數晶圓作一次性處理的多晶圓批量系統方式.因此客戶端提出提高生產效能的要求.

解決方案

將處理室的爐體由1台增加成2台的構成,再加上重新審視傳送機制,提高生產效能.

結果

  • 生產效能提升2~2.4倍(和敝公司傳統設備相比)
  • 與安裝2台傳統設備相比,佔地面積減少24%.