产品试制设施
试制设备
我们有专门进行从低温到高温、从间歇式到连续式设备产品试制的实验室。我们利用多年来在金属材料、半导体生产、FPD 设备、电子元件制造等领域的热处理生产设备制造经验和成果,来满足各个领域客户的加热要求。根据客户提供的应用要求详细信息,如加工方法、温度条件等,我们将为您选择适合加工用途的设备。
请随时与我们的销售代表联系。
半导体制造系统区域
装有半导体制造设备的实验室将设计为 10 级洁净室。
太阳能电池制造系统区
试制设备示例
领域 | 型号 | 工艺 | 工件尺寸/炉内尺寸/传送带宽度 (mm) | 温度 |
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半导体 | VF-1000HLP | 活化退火、高温 H2 退火、真空吹扫可用 | 高达 φ200mm | 800 至 1800℃ |
VF-5300H | 退火、氧化(干式、热解) | 高达 φ200mm | 700 至 1350℃ | |
VF-5100LP | LP-CVD(多晶硅、Si3N4、HTO) | 高达 φ200mm | 600 至 850℃ | |
VF-3000 | 退火、氧化(干式、湿式(鼓泡))、VCSEL 低温湿式氧化 | 高达 φ200mm | 200 至 1100℃ | |
VF-1000 | 退火、氧化(干式、湿式(汽化器))、VCSEL 低温湿式氧化、真空吹扫可用 | 高达 φ300mm | 200 至 1100℃ | |
VF-1000B | VCSEL 低温湿式氧化(湿式(汽化器)) | 高达 φ150mm | 200 至 600℃ | |
VF-5700B | 低温退火、PIQ | 高达 φ300mm | 200 至 750℃ | |
RLA-1208-V | 退火、氧化(干式) | 高达 φ200mm | 600 至 1200℃ | |
PV(光伏) | 206A-M100 | 退火、POCl3 | 156 x156mm | 400 至 1100℃ |
FPD | CCBS-IR | 用于平板显示器的各种热处理 | 300(W)×400(L) 至 3000(W)×3200(L) | RT 至 250℃ |
电子元件 | AF-INH21 | 电子和陶瓷组件、金属组件和其他产品的脱脂、干燥、 无法使用其他常规方法提高加热效率的产品的其他热处理 |
炉内尺寸:600(W) × 600(H) × 600(D) | RT+60 至 600℃ |
AF-INH100 | 炉内尺寸:1000(W) × 1000(H) × 1000(D) | |||
AF-μBF | 有效尺寸:200(W) × 200(H) × 400(D) | 400 至 900℃ | ||
AF-810A | 电子和陶瓷组件、金属组件和其他产品的脱脂、干燥、烧制 无法使用其他常规方法提高加热效率的产品的其他热处理 |
传送带宽度:200 | 250 至 900℃ | |
多管道抽排气式 网带炉 |
用于电子元件和其他产品的各种热处理 | 传送带宽度:350 | 至 950℃ | |
小型网带炉 810A-II |
用于电子元件和其他产品的各种热处理 | 传送带宽度:200 | 至 1000℃ | |
陶瓷网带式 连续炉 |
用于电子元件和其他产品的各种热处理 | 可处理工件尺寸:高达 200(W) × 75(H) | 至 1400℃ | |
高温惰性气体烘箱 INH-21CD |
电子和陶瓷组件、金属组件和其他产品的脱脂、干燥、各种其他热处理 | 炉内尺寸:600(W) × 600(H) × 600(D) | RT+60 至 600℃ | |
高温惰性气体烘箱 INH-51N2-DBS |
炉内尺寸:800(W) × 800(H) × 800(D) | RT+60 至 600℃ | ||
高温洁净烘箱 CLH-21CD(V) |
半导体晶圆和玻璃基板的烘焙、固化和老化,电子元件和其他产品的各种热处理 | 炉内尺寸:700(W) × 700(H) × 500(D) *开口尺寸为 630 mm。 |
RT+70 至 500℃ |
结果
我们有一个专门供客户使用的产品试制室。可以帮助客户做出购买新设备的决定。我们的设备产品试制系统允许您进行预先测试、性能评估和其他类型的产品试制。只需向我们提供有关您的工件、加工条件和其他细节的信息,即可申请一次产品试制,我们将选择与您的加工目标匹配的设备并安排产品试制时间。
*请注意,通常只允许考虑购买设备的客户使用产品试制室。不允许出于其他目的进行设备产品试制。不允许作为租赁设备使用。
2021 年设备产品试制次数
半导体相关产品试制:71(日本制造商 61 次,外国制造商 10 次)
电子元件或 FPD 相关产品试制:117 次(日本制造商 102 次,外国制造商 15 次)