解决方案案例 [case-028] 针对于SiC功率半导体用欧姆接触退火炉，通过双腔室系统和改进的传输机构，提高设备的生产效率
- 接触退火
- RLA-4200V
在用于碳化硅功率半导体的欧姆接触退火设备中，通过增加腔室数量和改进传输机构，实现提高生产效率（比以前提高了 2 至 2.4 倍）。
| 支持工艺 | 接触退火 |
|---|---|
| 型号介绍 | RLA-4200-V 接触退火用灯光退火炉
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问题
欧姆接触退火设备是一种单片式设备，一次处理一片晶圆。 与同时处理多片晶圆的批量式相比，生产率较低，因此客户一直要求提高生产率。
解决方案
通过将工艺腔室从一个改为两个，以及对传送机构进行升级，提高生产效率。
